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바코솔루션, 반도체 PVD 시스템 국산화 성공
이현종 바코솔루션 대표 “웨이퍼 기반 클러스터 타입 PVD 장비 개발”
“바코솔루션은 외산 장비에 100% 의존했던 반도체 물리기상 증착법(PVD) 장비 시장에서, 국내 최초로 독자적인 자체 기술로 개발에 성공한 웨이퍼(Wafer) 기반 반도체 양산형 클러스터 타입 PVD 장비 전문 제조업체이다.”
이현종 바코솔루션 대표는 “미국의 대형 반도체 회사가 독점하던 반도체 PVD 시스템을 국산화했다”면서 회사 소개를 했다. 이 대표는 반도체 외산 장비 엔지니어 출신으로, 지난 2016년에 국내 기술로 반도체 장비 국산화를 해야겠다는 결심으로 창업을 했다.
이현종 대표는 “창업 초기에 반도체 장비는 미국과 일본이 대부분 반도체 시장을 점유하고 잇던 터라 진입장벽이 매우 높았다”면서 “그러나 꾸준히 자체 개발에 주력해서, 생산 증대를 위해 장비투자를 하던 주 고객사인 반도체 패키징 업체에 자체 개발한 장비를 공급하게 됐다”고 설명했다. 국내 자체 기술로 개발한 장비가 전체 글로벌 시장의 90% 이상을 차지하는 미국 대형 회사의 장비를 대체하는데 성공한 사례라는 것이다.
이 같은 성공은 이현종 대표의 도전에서 시작됐다. 바코솔루션 창업 당시만 해도 국내 대부분 반도체 장비회사라고 하면 외산 장비를 중고로 매입해, 고객사에 맞게 바꿔 시스템 컨버전과 리퍼브(refurb)을 통해 납품하는 형태가 대부분이었다. 이때 중국 반도체 FAB 투자가 급증함에 따라 장비가 중고시장에 나오는 족족 중국시장으로 모두 팔려나갔다.
그 여파로 반도체 중고 시장에서 장비를 찾기 힘들어지면서 국내 반도체 리퍼브 시장은 레드오션이 됐다. 이현종 대표는 이러한 시장 분위기를 읽어 리퍼브 시장은 가능성이 없다고 판단하고 국내 기술로 국산화를 결정한 것이다.
200mm, 300mm 클러스터 타입 PVD시스템이 주력
현재 바코솔루션의 주력 제품은 반도체 증착 장비 인 200mm, 300mm 클러스터 타입 PVD시스템으로, 국내 반도체 패키징 회사에 공급하고 있다. 바코솔루션은 이 제품으로 기존 국내 고객 뿐만 아니라 중국, 대만, 미국 시장 순으로 해외 시장 진출도 추진할 예정이다.
실제 제품 개발 후 바코솔루션에 대한 외부 평가도 좋다. 매출 실적으로는 최근 매년 100% 이상의 매출 성장을 보이고 있다. 지난해는 한양대학교에서 주관하는 2021년도 창업도약 패키지 사업화지원 기업으로 선정됐다. 창업 3년~7년에 걸쳐 있는 수많은 도약기 기업 중에서도 높은 기술력과 시장성을 인정받은 결과다.
자체 개발 제품의 장점도 눈여겨볼만하다. 이현종 대표는 바코솔루션의 장비는 외산 장비 대비 60% 의 가격으로 동등수준 또는 그 이상의 공정 퍼포먼스를 낼 수 있다고 설명했다. 그는 이어 특화된 백본 설계 디자인과, 장비 운영 소프트웨어는 UPH 를 20% 향상 시켰다며, 연간 장비 유지비용은 외산 설비의 10~20% 수준이며, 365 일 24시간서비스 대응을 하므로 장비 가동률은 60%~70%수준에서 90%수준으로 끌어 올렸다고 덧붙였다.
이현종 대표는 “고객사에 납품된 장비는 365 일 24시간 서비스 대응하므로 장비 다운타임 을 최소화하고 가동률을 극대화하여 제품 생산성을 극대화 하고 있다”고 말했다.
바코솔루션이 해결할 문제도 아직 남아 있다. 아직까지 작은 회사규모로 다양한 공정을 위한 하이브리드형 장비개발이 완성되지 않았다는 점이다. 이 대표는 이에 대해 “공정이 까다로운 반도체 전공정 장비로 진입하기에는 아직까지 어려운 실정”이라면서도 “연구개발 투자 및 국책과제를 통해 개발을 하고 있어 이 문제도 해결할 것으로 기대하고 있다”고 설명했다.
시장 수요는 늘어날 전망이다. 사물인터넷(IoT), 가상현실(VR)/ 증강현실(AR), 에너지 하베스팅, 전기자동차 등 과학이 급속도로 발달함에 따라 반도체 시장은 지속적으로 확장될 것이기 때문이다. 바코솔루션은 이에 따라 직접 개발한 장비수요도 더욱 급증할 것으로 예상하고 있다.
이현종 대표는 “국내 반도체 패키징 고객사에서는 외산 장비의 파트 수급 문제와 함께 높은 유지비용이 문제가 되고 있다”면서 “장비 노후화에 따른 평균고장주기(MTBF)가 짧아지고 평균해결시간(MTTR)이 길어짐에 따라 중고 외산 설비에서 저렴한 신규설비 투자에 눈을 돌리고 있다”고 시장 분위기를 전했다.
이 대표는 이어 “현재 반도체 후공정인 패키징 시장을 이어서 전력 반도체 시장, 내플라즈마 코팅 시장까지 뻗어나가고 있다”면서 “반도체 전공정 시장까지 조만간 섭렵 할 것으로 기대하고 있다”고 포부를 밝혔다.
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IT CookBook, 현대 반도체 소자 공학 – 한빛출판네트워크
본 도서는 대학 강의용 교재로 개발되었으므로 연습문제 해답은 제공하지 않습니다. TAG : 초급 초중급 중급 중고급 고급.
Source: www.hanbit.co.kr
Date Published: 10/13/2021
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현대 반도체 소자 공학 – 한빛아카데미 – 교보문고
『현대 반도체 소자 공학』은 마이크로전자 공학계에서 명성이 높은 첸밍 후(Chenming Calvin Hu)의 최신간으로, 방대한 반도체 공학 내용을 간결한 어조로 집약적인 …
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Date Published: 10/25/2021
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Source: m.post.naver.com
Date Published: 10/19/2022
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현대_반도체_소자공학_(저자_첸밍 – 레포트월드
[솔루션]_현대_반도체_소자공학_(저자_첸밍_후(권기영,_신형철,_이종호_공역)) Chapter 1Visualization of the Silicon Crystal1.1(a) Please refer …Source: m.reportworld.co.kr
Date Published: 10/20/2022
View: 7850
반도체소자공학 솔루션 * 올레포트 검색결과
반도체소자공학 솔루션 대학리포트 올레포트 무료표지 공업수학 솔루션 졸업논문 학업계획서 방송통신대학 자기소개서 이력서 사업계획서 기업분석.
Source: www.allreport.co.kr
Date Published: 8/3/2022
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현대반도체소자공학 솔루션 * 레포트다운 검색결과
현대반도체소자공학 솔루션 대학리포트 레포트다운 무료표지 공업수학 솔루션 졸업논문 학업계획서 방송통신대학 자기소개서 이력서 사업계획서 기업분석.
Source: www.reportdown.co.kr
Date Published: 3/20/2022
View: 6122
현대 반도체 소자 공학 – 상세보기 | 경상국립대학교 도서관
서명/저자 현대 반도체 소자 공학 / 첸밍 후 저 ; 권기영, 신형철, 이종호 [공]역; 분류기호 569.4 H874ㅎ권; 원서명 Modern semiconductor devices for inegrated …
Source: lib.gnu.ac.kr
Date Published: 6/10/2022
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- Date Published: 2022. 7. 17.
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IT CookBook, 현대 반도체 소자 공학: Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits
목차
1장 | 반도체 내의 전자와 정공 01_ 실리콘 결정 구조 02_ 전자와 정공의 결합 모델 03_ 에너지 밴드 모델 04_ 반도체, 절연체, 도체 05_ 전자 및 정공 06_ 상태 밀도 07_ 열적 평형상태와 페르미 함수 08_ 전자와 정공의 농도 09_ n과 p의 일반적 이론 10_ 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도 11_ 장 요약 연습문제 참조문헌 2장 | 전자 및 정공의 운동과 재결합 01_ 열 운동 02_ 드리프트 03_ 확산 전류 04_ 에너지 다이어그램과 V, 간의 관계 05_ D와 μ 간의 아인슈타인 관계식 06_ 전자-정공 재결합 07_ 열 생성 08_ 유사 평형상태와 의사 페르미 준위 09_ 장 요약 연습문제 참조문헌 3장 | 소자 제조 기술 01_ 소자 제조에 대한 서론 02_ 실리콘의 산화 03_ 리소그래피 04_ 패턴 전사─에칭 05_ 도핑 06_ 도펀트 확산 07_ 박막 증착 08_ 상호 연결─후미 공정 09_ 테스팅, 조립, 그리고 검정 10_ 장 요약─소자 제조 예 연습문제 참조문헌 4장 | PN 접합과 금속-반도체 접합 #Part 1: PN 접합 01_ PN 접합 이론의 기초적 요소 02_ 공핍층 모델 03_ 역 바이어스된 PN 접합 04_ 커패시턴스-전압 특성 05_ 접합 항복 06_ 정 바이어스 상태에서 운반자 주입─유사평형 경계 조건 07_ 전류 연속 방정식 08_ 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 운반자 09_ PN 다이오드 IV 특성 10_ 전하 축적 11_ 다이오드의 소신호 모델 #Part 2: 광전 소자에의 응용 12_ 태양전지 13_ 발광 다이오드와 고체 조명 14_ 다이오드 레이저 15_ 광 다이오드 #Part 3: 금속-반도체 접합 16_ 쇼트키 장벽 17_ 열전자 방출 이론 18_ 쇼트키 다이오드 19_ 쇼트키 다이오드의 응용 20_ 양자 역학적 터널링 21_ 옴성 접촉 22_ 장 요약 연습문제 참조문헌 5장 | MOS 커패시터 01_ 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압 02_ 표면 축적 03_ 표면 공핍 04_ 문턱 조건 및 문턱 전압 05_ 문턱 조건 이후의 강반전 06_ MOS 커패시터의 C-V 특성 07_ 산화막 전하 08_ 폴리실리콘 게이트 공핍 09_ 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과 10_ CCD 및 CMOS 화상기 11_ 장 요약 연습문제 참조문헌 6장 | MOS 트랜지스터 01_ MOSFET의 소개 02_ 상보형 MOS(CMOS) 기술 03_ 표면 이동도와 고이동도 FET 04_ MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑 05_ MOSFET의 Qinv 06_ 기본적인 MOSFET IV 모델 07_ CMOS 인버터─회로의 예 08_ 속도 포화 09_ 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델 10_ 기생 소오스-드레인 저항 11_ 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출 12_ 속도 오버슛과 소오스 속도 한계 13_ 출력 컨덕턴스 14_ 고주파 성능 15_ MOSFET 잡음 16_ SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래시) 메모리 소자들 17_ 장 요약 연습문제 참조문헌 7장 | 집적회로에서의 MOSFET-축소화, 누설전류 및 다른 토픽 01_ 소자 축소화─가격, 속도 및 전력 소모 02_ 문턱전압 이하 전류─”OFF”는 완전한 “OFF”가 아니다 03_ Vt 감소(롤 오프)─단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다 04_ 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류 05_ Wdep을 줄이는 방법 06_ 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET 07_ Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계 08_ 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET 09_ 출력 컨덕턴스 10_ 소자 및 공정 시뮬레이션 11_ 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델 12_ 장 요약 연습문제 참조문헌 8장 | 바이폴라 트랜지스터 01_ BJT 입문 02_ 컬렉터 전류 03_ 베이스 전류 04_ 전류 이득 05_ 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조 06_ 에버스-몰 모델 07_ 천이 시간과 전하 저장 08_ 소신호 모델 09_ 컷오프 주파수 10_ 전하 제어 모델 11_ 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델 12_ 장 요약 연습문제 참조문헌 부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도 부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도 부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성 찾아보기
현대 반도체 소자 공학(IT CookBook 한빛 교재 시리즈 312)
상품상세정보 ISBN 9788998756390 ( 8998756390 ) 쪽수 456쪽 크기 188 * 235 * 30 mm 판형알림 이 책의 원서/번역서 Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits
책소개
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『현대 반도체 소자 공학』은 마이크로전자 공학계에서 명성이 높은 첸밍 후(Chenming Calvin Hu)의 최신간으로, 방대한 반도체 공학 내용을 간결한 어조로 집약적인 구성을 통해 소개한다. 태양 전지, LED, 현대 MOSFET과 같은 최신 토픽과 응용 기술을 다루고, 광범위한 내용은 수식과 그림을 통해 쉽게 이해할 수 있도록 구성하였다.
목차
1장 | 반도체 내의 전자와 정공
01_ 실리콘 결정 구조
02_ 전자와 정공의 결합 모델
03_ 에너지 밴드 모델
04_ 반도체, 절연체, 도체
05_ 전자 및 정공
06_ 상태 밀도
07_ 열적 평형상태와 페르미 함수
08_ 전자와 정공의 농도
09_ n과 p의 일반적 이론
10_ 극고온과 극저온에서의 캐리어 농도
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌
2장 | 전자 및 정공의 운동과 재결합
01_ 열 운동
02_ 드리프트
03_ 확산 전류
04_ 에너지 다이어그램과 V, ? 간의 관계
05_ D와 μ 간의 아인슈타인 관계식
06_ 전자-정공 재결합
07_ 열 생성
08_ 유사 평형상태와 의사 페르미 준위
09_ 장 요약
연습문제
참조문헌
3장 | 소자 제조 기술
01_ 소자 제조에 대한 서론
02_ 실리콘의 산화
03_ 리소그래피
04_ 패턴 전사─에칭
05_ 도핑
06_ 도펀트 확산
07_ 박막 증착
08_ 상호 연결─후미 공정
09_ 테스팅, 조립, 그리고 검정
10_ 장 요약─소자 제조 예
연습문제
참조문헌
4장 | PN 접합과 금속-반도체 접합
#Part 1: PN 접합
01_ PN 접합 이론의 기초적 요소
02_ 공핍층 모델
03_ 역 바이어스된 PN 접합
04_ 커패시턴스-전압 특성
05_ 접합 항복
06_ 정 바이어스 상태에서 운반자 주입─유사평형 경계 조건
07_ 전류 연속 방정식
08_ 정 바이어스된 PN 접합에서 과잉 운반자
09_ PN 다이오드 IV 특성
10_ 전하 축적
11_ 다이오드의 소신호 모델
#Part 2: 광전 소자에의 응용
12_ 태양전지
13_ 발광 다이오드와 고체 조명
14_ 다이오드 레이저
15_ 광 다이오드
#Part 3: 금속-반도체 접합
16_ 쇼트키 장벽
17_ 열전자 방출 이론
18_ 쇼트키 다이오드
19_ 쇼트키 다이오드의 응용
20_ 양자 역학적 터널링
21_ 옴성 접촉
22_ 장 요약
연습문제
참조문헌
5장 | MOS 커패시터
01_ 평탄 밴드 조건과 평탄 밴드 전압
02_ 표면 축적
03_ 표면 공핍
04_ 문턱 조건 및 문턱 전압
05_ 문턱 조건 이후의 강반전
06_ MOS 커패시터의 C-V 특성
07_ 산화막 전하
08_ 폴리실리콘 게이트 공핍
09_ 반전 및 축적 전하층 두께와 양자역학적 효과
10_ CCD 및 CMOS 화상기
11_ 장 요약
연습문제
참조문헌
6장 | MOS 트랜지스터
01_ MOSFET의 소개
02_ 상보형 MOS(CMOS) 기술
03_ 표면 이동도와 고이동도 FET
04_ MOSFET Vt, 바디 효과, 가파른 역방향 도핑
05_ MOSFET의 Qinv
06_ 기본적인 MOSFET IV 모델
07_ CMOS 인버터─회로의 예
08_ 속도 포화
09_ 속도 포화 현상이 있을 경우의 MOSFET IV 모델
10_ 기생 소오스-드레인 저항
11_ 직렬 저항과 유효 채널 길이의 추출
12_ 속도 오버슛과 소오스 속도 한계
13_ 출력 컨덕턴스
14_ 고주파 성능
15_ MOSFET 잡음
16_ SRAM, DRAM, 비휘발성 (플래시) 메모리 소자들
17_ 장 요약
연습문제
참조문헌
7장 | 집적회로에서의 MOSFET?축소화, 누설전류 및 다른 토픽
01_ 소자 축소화─가격, 속도 및 전력 소모
02_ 문턱전압 이하 전류─“OFF”는 완전한 “OFF”가 아니다
03_ Vt 감소(롤 오프)─단채널 MOSFET이 심한 누설전류를 갖는다
04_ 게이트 절연막의 전기적 두께 감소 및 터널링 누설전류
05_ Wdep을 줄이는 방법
06_ 얕은 접합과 금속 소오스/드레인 MOSFET
07_ Ion과 Ioff의 절충 및 제조를 위한 설계
08_ 극도로 얇은 바디 SOI 및 멀티게이트 MOSFET
09_ 출력 컨덕턴스
10_ 소자 및 공정 시뮬레이션
11_ 회로 시뮬레이션을 위한 MOSFET 콤팩트 모델
12_ 장 요약
연습문제
참조문헌
8장 | 바이폴라 트랜지스터
01_ BJT 입문
02_ 컬렉터 전류
03_ 베이스 전류
04_ 전류 이득
05_ 컬렉터 전압에 의한 베이스 폭 변조
06_ 에버스-몰 모델
07_ 천이 시간과 전하 저장
08_ 소신호 모델
09_ 컷오프 주파수
10_ 전하 제어 모델
11_ 대신호 회로 시뮬레이션을 위한 모델
12_ 장 요약
연습문제
참조문헌
부록 Ⅰ 상태 밀도의 유도
부록 Ⅱ 페르미-디락 분포함수의 유도
부록 Ⅲ 소수 캐리어 가정의 일관성
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