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사파이어 | 제품정보 | 사업/제품 | 일진디스플레이
Sapphire – 단결정 Sapphire Polished wafer, Sapphire wafer 제조 기술 … 연마하여 LED용 GaN Epi 공정에 적합하도록 만들어진 기판을 사파이어 웨이퍼라 합니다.
Source: www.iljindisplay.co.kr
Date Published: 5/25/2021
View: 7391
LED용 사파이어 잉곳, 웨이퍼 – 일진그룹
이미지_LED용 사파이어 잉곳, 웨이퍼. 일진디스플레이는 친환경, 고출력, 고효율 구현이 가능한 LED 소재인 사파이어(Sapphire Ingot, Sapphire Wafer)를 생산하고 …
Source: www.iljin.co.kr
Date Published: 8/12/2022
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대경셈코, ’12인치 사파이어 웨이퍼’ 개발…핵심 소부장 국산화 …
사파이어 웨이퍼는 LED를 비롯해 대출력 반도체, 박막반도체 생산에 사용된다. 국내에는 12인치 크기 제품을 생산하는 업체가 없어 그동안 세계 최대 …
Source: www.etnews.com
Date Published: 11/2/2021
View: 7072
사파이어 잉곳 -사파이어 웨이퍼 제조 – 네이버 블로그
사파이어 잉곳 제조. 사파이어 단결정 성장 -> 잉곳 원형 가공 -> Dia wire로 웨이퍼 절단 -> 랩핑(표면 연마). -> 어닐링(열처리, 잔류응력 제거) …
Source: m.blog.naver.com
Date Published: 5/26/2022
View: 1998
사파이어 웨이퍼:롯코전자 주식회사
당사는 독자 개발한 기술을 통해 원스 톱 사파이어 웨이퍼 가공(웨이퍼 연삭, 연마, RCA 세정)을 제공하고 있는 기업 중 하나입니다.
Source: www.rokkodenshi.com
Date Published: 9/15/2022
View: 8583
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주제에 대한 기사 평가 사파이어 웨이퍼
- Author: 주린이가 주린이에게ᅳ 름이TV
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- Date Published: 2021. 11. 14.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=gmAOwL3LhME
사파이어 단결정 이란? 알루미늄(Al)과 산소(O)가 결합된 형태의 화합물인 알루미나(Al 2 O 3 )를 2,050℃ 이상의
고온용융 후 응고되는 과정에서 단결정구조로 성장된 물질입니다. 다이아몬드 다음으로 지구상에서 가장 강한 소재 사파이어 단결정은 다이아몬드 다음으로 지구상에서 가장 강한 경도를 지닌 소재로, 내마모성,
내식성이 석영과 비교해 약 10배 높고, 절연 특성 및 광학성 투과성이 우수합니다. Physical Properties Value Crystal structure Hexagonal system (rhombohedral) Unit cell dimension a = 4.758 Å , c = 12.991 Å Density 3.98g/cm3 Hardness 9 mohs, 1,525-2,000 Knoop Tensile strength 400MPa Flexural strength 2,500~4,000 MPa Thermal Properties Value Thermal conductivity (at 300K) 23.1 W/m·K (perpendicular to c-axis) / 25.2 W/m·K (parallel to c-axis) Specific heat 105 J/kg·K at 91K / 761 J/kg·K at 291K Thermal coefficient of linear expansion (at 323K) 6.66 x 10-6/K(parallel to optical axis)
5.00 x 10-6 /K (perpendicular to optical axis) Melting point 2,050 °C Boiling point 2,980 °C 사파이어 단결정 성장공법 비교 Advanced Kyropoulos 성장공법 : 러시아에서 개발된 Kyropoulos 성장공법에서
일진디스플레이의 자체 연구개발을 통해 챔버 및 단열재 구조를 개선한 신(新) 공법입니다. 성장공법 VHGF HEM Kyropoulos Advanced Kyropoulos 잉곳 크기 2~6인치 2~8인치 2~8인치 2~8인치 잉곳품질 품질 보통 보통 우수 우수 기포 보통 보통 보통 적음 리니지 보통 나쁨 보통 우수 결정성 우수 보통 우수 우수 단열성 우수 우수 낮음 우수 소비전력 낮음 낮음 높음 낮음 작업공수 보통 보통 많음 적음 유지비 보통 높음 높음 낮음 생산성 보통 우수 보통 우수 제조원가 보통 보통 보통 우수 Property Unit 4＂ 6＂ Diameter mm 100.05±0.02 150.05±0.05 Orientation – c-plane (0001), a-plane (11-20)
r-plane (1-102), m-plane(1-100) Orientation Tilt Tolerance Degree 0±0.05 0±0.05 Flat Length mm Flat 30.7±0.5 or Notch Flat 25~50±1.0 or Notch Usable Length Max 220 Max 200 Surface Finish mm As Cored Fine Ground Crystal Quality – No Grain Boundaries, Twins, Lineages, and Crack Picture –
단결정 사파이어 웨이퍼 사파이어 웨이퍼(Sapphire Wafer)는 요구되는 직경 및 방위에 따라 단결정 Boule을 Coring하여 잉곳(Ingot)을 취출한 후, 다이아몬드 와이어(Diamond Wire)를 사용하여 기판의 형태로 절단을 진행합니다. As-Cut 기판은 Edge와 Lapping 공정을 거치면서 기판의 형상을 균일화시키고 열처리 공정을 통해 표면 Stress를 제거하여 휨(BOW)현상을 제어 합니다. 이후 Polishing 연마하여 표면 조도를 0.2nm 수준으로 맞춰 LED용 GaN Epi 공정에 적합하도록 제작된 기판입니다. 다이아몬드 다음으로 단단한 물질
내마모성, 내식성, 절연 특성 및 투과율 우수 Property 비고 Mohs 9 다이아몬드 다음으로 단단한 물질로 Scratch에 대한 내성이 강합니다. Thermal Conductivity 25.2W/mㆍK 세라믹 재료 중에서는 금속과 비슷한 열전도 특성을 가지고 있으며, 고온, 저온 극한 환경에서도 변화가 적습니다. Transmittance 85% 고른 파장대에서 우수한 투과율을 가지고 있습니다. 고온 공정에서도 휨 없는, 고평탄도 제작을 위한 최적 조건 설계 Lapping 공정에서 고평탄도 사파이어 웨이퍼 제작을 위해 양면 설비의 상하 정반 회전비 최적 조건을 설계하였으며 기판의 균일 가공을
통해 동심원 형태의 형상을 가집니다. 이러한 기판은 고온 환경에서 진행되는 Epi 공정에서 불균일하게 휘는 현상을 최소화시킵니다. CMP공정은 Nano Silica Slurry를 적용한 Polishing 연마를 진행하여 기판의 표면 조도를 0.2nm수준으로 만듭니다. Sapphire SSP(Single Side Polished) Wafer / Sapphire DSP(Double Side Polished) Wafer NO Parameters Unit 2＂(50.8mm) 4＂(100.0mm) 6＂(150.0mm) 공통사양 1 Surface Orientation – C-plane (0001) off-set 1-1 Off Angle to M-axis degree(˚) 0.20° ± 0.05° 0.20° ± 0.05° 0.20° ± 0.05° 1-2 Off Angle to A-axis degree(˚) 0.00° ± 0.10° 0.00° ± 0.10° 0.00° ± 0.10° 2 Flat or Notch Orientation degree(˚) A-plane(11-20) _ 0 ± 0.20 3 Thickness um 430 ± 10 660 ± 10 1,300 ± 10 4 TTV / LTV um ≤ 4/2 ≤ 5 / ≤ 2 ≤ 10/2 5 Roughness(Ra)-Front Side nm ≤ 0.2 ≤ 0.2 ≤ 0.2 SSP 6 BOW um -6 ~ 0 -10 ~ 0 -10 ~ 0 7 Roughness(Ra)-Back Side um 0.6 ~ 1.2 0.6 ~ 1.2 0.6 ~ 1.2 DSP 8 BOW um ± 5 ± 10 ± 10 9 Roughness(Ra)-Back Side nm ≤ 0.2 ≤ 0.2 ≤ 0.2
차세대 디스플레이 소자
Micro-LED 디스플레이(Display) 사업분야에서, 기존의 LCD나 LED 대비 ① 소모전력, ② Color Gamut, ③ Brightness, ④ Contrast, ⑤ Life-time 및 내구성에서 우수한 특성을 갖는 LED 소자가 그 칩의 크기(Chip Size)를 100um 이하로 구현함으로써 차세대 디스플레이 소자로 대두되고 있습니다. 특히, 이러한 Micro-LED를 TFT Back Plane에 실장시킴으로써 플렉시블 디스플레이, 특히, AR, VR 등의 웨어러블 디스플레이 및 의료기기 등 광범위하게 사용될 것으로 기대됩니다. Micro-LED 애플리케이션에 요구되는
사파이어 기판 이러한 Micro-LED 디스플레이에서는 사파이어가 갖는 결함이 Chip 수율에 크게 영향을 미치기 때문에 사파이어 기판의 물리적, 특성적 고사양이 요구될 것으로 예상됩니다. 이에 당사는 그동안의 업력(業力)을 바탕으로 세계최고 품질의 잉곳과 웨이퍼 생산을 통해 고객만족을 최우선으로 하는 품질 우위를 목표로 국내외 유수의 고객과, 차세대 디스플레이 소재 개발에 매진하고 있습니다. Property Parameters Unit 6″(150.0mm) 평탄도 특성 TTV / LTV um ≤ 4 / ≤ 2 BOW / Warp um -6 ~ 0 / ≤ 7 외관 특성 Chip, Crack, Pore – None 표면 특성 Particle, Stain, Scratch – None
일진디스플레이는 친환경, 고출력, 고효율 구현이 가능한 LED 소재인 사파이어(Sapphire Ingot, Sapphire Wafer)를 생산하고 있습니다.
LED는 P형, N형 반도체를 접합시켜 전기를 한쪽 방향으로 흐르게 만드는 반도체 소자로 전기에너지가 반도체 결정 안에서 빛에너지로 전환되는 원리로 구현됩니다.
사파이어 잉곳
Advanced Kyropoulos법을 이용하여 Al 2 O 3 를 2,050℃ 이상의 고온에서 가열하여 용액상태로 만든 다음 Seed를 Melt 표면에 접촉시켜 Defect가 없는 고품질의 단결정을 형성시키고, 60kg이상 대구경 사파이어 Boule을 성장하고 있습니다.
Chemical formula Al 2 O 3 Melting point 2,050℃ Crystal System Hexagonal CTE A축 : 6.67×10 -6/℃ @ 50℃
C축 : 9.03×10 -6/℃ @ 20 ~ 1000℃ Lattice Parameter a=4.758Å, c=12.99Å Density 3.985g/cm3 Refractive Index 1.7 Hardness, Mohs 9 Dielectric Const 9.30
가로 320 px(도표가 보이는 해상도 규격) 이상의
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사파이어 웨이퍼
사파이어를 LED Chip 소재로 사용하기 위해서는 사파이어와 유사한 결정 격자 구조, 방위를 갖는 반도체 결정을 성장(GaN Epi 성장) 시켜야 합니다.
GaN-Epi 성장은 사파이어 기판의 품질에 의해 결정되는데 일진디스플레이는 LED 용에 사용되는 세계최고 수준의 초고평탄도 사파이어 기판을 주력 양산하고 있습니다. 또한 전극을 수직 구조로 배치하여 고전류 영역에서 광효율, 고출력, 작동전압하강, 열특성 등의 장점을 극대화 할 수 있는 Vertical Type LED Chip 용 Double Side Polished 웨이퍼의 대구경 양산화 기술력을 갖추고 있습니다.
2inch 4inch 6inch 8inch 기판종류 Single / Double Side Polished Wafer Diameter 50.80 ± 0.05mm 100.00 ± 0.05mm 150.00 ± 0.05mm 200.00 ± 0.05mm Orientation 0.20 ± 0.03˚ 0.20 ± 0.03˚ 0.20/0.35 ± 0.03˚ 0.20 ± 0.03˚ Thickness 430 ± 5um 650/750 ± 10um 1,000/1,300 ± 10um 1,500 ± 20um TTV ≤ 3um ≤ 3um ≤ 5um ≤ 10um BOW -7 ~ -2um -6 ~ 0um -6 ~ 0um -10 ~ 0um
가로 320 px(도표가 보이는 해상도 규격) 이상의
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대경셈코, ’12인치 사파이어 웨이퍼’ 개발…핵심 소부장 국산화 첨병
국내 중소기업이 그동안 해외 의존도가 높았던 발광다이오드(LED) 핵심 소재 ’12인치 사파이어 웨이퍼’를 자체 기술로 개발했다. 세계 표준을 뛰어넘는 초박형 제품을 구현하는 데 성공하면서 수출 가능성도 높였다. 작년 일본 정부 수출규제를 계기로 주목받고 있는 ‘소재·부품·장비(소부장) 자립’에 중소기업들이 적극 나서고 있어 주목된다.
세라믹 반도체 및 디스플레이 소재 전문업체 대경셈코는 최근 12인치 크기 고품질 사파이어 웨이퍼 개발에 성공했다고 7일 밝혔다.
사파이어 웨이퍼는 LED를 비롯해 대출력 반도체, 박막반도체 생산에 사용된다. 국내에는 12인치 크기 제품을 생산하는 업체가 없어 그동안 세계 최대 사파이어 잉곳 제조사인 미국 루비콘테크놀러지에서 전량 수입했다.
대경셈코 관계자는 “지난 3년간 대형 사파이어 잉곳 협력사와 협력해 (12인치 사파이어 웨이퍼를) 최초로 개발했다”면서 “중소기업이 국내 산업 발전을 위해 전력을 기울인 결과”라고 설명했다.
대경셈코는 세계 최초로 0.7㎜ 표준품을 뛰어 넘는 0.5㎜ 두계균일도(TTV)의 마이크로 박막 웨이퍼 구현에도 성공했다. 현재는 0.3㎜ 고난도 12인치 웨이퍼를 개발하는 데 힘을 쏟고 있다.
회사는 최근 경북 성주공장에 월 3000장 규모 양산 시설을 구축했다. 국내에서 생산한 12인치 사파이어 웨이퍼를 국내외 고객사에 공급하기 위한 생산기지다. LED를 비롯해 대출력 집적회로(IC), 박막 IC 생산용 캐리어 웨이퍼 용도 등으로 제공할 예정이다.
대경셈코는 최근 대만 등 해외 고객사에 시제품으로 12인치 사파이어 웨이퍼를 공급했다. 실제 공급계약이 체결되면 국내에서 손꼽히는 소부장 국산화 성공사례로 평가받을 것으로 보인다.
미니LED 디스플레이 핵심 소재 부문에서도 국산화에 도전하는 중소기업들이 등장했다.
엘비루셈은 산업통상자원부 지원으로 추진되는 ‘도전성 접합소재 및 미니LED 모듈 기술개발’ 국책과제 총괄 주관기업으로 선정됐다고 밝혔다.
현재 미니LED 디스플레이 기판과 칩을 접합하는 소재 대부분은 일본 업체에 의존 중이다. 광원인 LED 칩은 대만 및 중국업체가 시장을 주도하고 있다. 이번 과제는 2024년까지 정부출연금 184억원을 지원받아 국산 접합소재, 광원으로 미니LED 디스플레이를 개발하는 것이 목표다.
미니LED 실장용 다기능 바인더 소재는 한국전자통신연구원 원천기술을 기반으로 국내 중소기업들이 개발한다. 미니LED 칩 개발에는 국내 연구기관과 제조사들이 참여한다. 패키지 제작에 필요한 각종 공정·장비는 국내 중소기업에서 공급한다.
최신 엘비루셈 연구소장은 “국산 소부장을 활용한 능동 구동 방식 미니LED 모듈을 개발해 차세대 시장을 선점하겠다”면서 “미니 LED 디스플레이 밸류체인을 구축할 것”이라고 말했다.
윤희석기자 [email protected]
사파이어 잉곳 -사파이어 웨이퍼 제조
사파이어 잉곳 제조
사파이어 단결정 성장 -> 잉곳 원형 가공 -> Dia wire로 웨이퍼 절단 -> 랩핑(표면 연마)
-> 어닐링(열처리, 잔류응력 제거) -> 폴리싱 -> 클리닝
주요 업체 : SSLM/ 사파이어 테크놀로지
사파이어란?
알루미나(Al2O3)가 2050℃ 이상에서 단결정으로 성장된 결정체
제조공정 (VHGF)
실리콘 웨이퍼와 사파이어 웨이퍼 비교
1. 실리콘 웨이퍼
우선 실리콘 웨이퍼를 쓰면 장점은 다음과 같습니다. 전류가 잘 도통이 된다는
점입니다. 그래서 전류가 도통이 잘되서 물질의 전류에 대한 전달이 원활하게
됩니다. 그래서 구동전류가 많아져서 여기에서 물질의 전도성이 높아지게 됩니다.
그래서 결정을 조금만 증착하게 되어도 전류가 잘흘러서 물질이 좋은 특성을 가집니다.
그러나 단점은 결정이 잘 부서진다는 단점이 있습니다. 실리콘 웨이퍼는 5족 원소로
구성이 되어 있는 점을 가지고 있어서 이점이 구성시에 잘 부서지거나 파괴되는 성질을
가지고 있습니다. 그래서 결정이 불완전해서 항상 합금이나 도금 처리를 하게 됩니다.
2. 사파이어 웨이퍼
사파이어 웨어퍼의 장점은 다음과 같습니다. 결정이 단단하다는 장점이 있습니다.
그래서 손괴나 파괴등의 부분에서 이것이 잘 활용이 되어서 잘 부서지지 않는다는
특징을 가지고 있어서 전기적인 응력이 세서 물질이 결합을 잘 한다는 점입니다.
그러나 단점도 있습니다. 전류의 도통이 어렵다는 점입니다. 전류가 잘 흐르지
않게 되어서 다른 불순물을 도핑하는 방식등을 취합니다. 그래서 전반적으로
물질이 전류전달이 잘되지 않아서 이점이 항상 불안하게 작용하는 것이 사실입니다.
그래서 제조를 하는 사람은 보다 잘 결정이 뚜렷한 사파이어 웨이퍼를 선호합니다.
이와 같은 실리콘 웨이퍼나 사파이어 웨이퍼의 경우 물질의 전도성에 대한 부분과
이것이 결정상으로 잘 전달하는 과정에서 보다 면밀하게 파악을 하는 것이 중요하고
밀도나 기타 전류의 흐름이나 제조과정을 통해서 물질의 성분을 조절해야 할 것입니다.
사파이어 웨이퍼:롯코전자 주식회사
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기술과 가공에 대한 질문, 궁금하신 사항 등 부담을 갖지 마시고 문의해주세요.
담당 : 영업부
TEL: 81-798-65-4508
FAX: 81-798-67-5038
채용에 관한 문의는 아래 버튼을 클릭해주세요.
ROKKO ELECTRONICS Co., Ltd.
Zipp: 663-8105
8-5, Nakajima-cho, Nishinomiya-city, Hyogo, Japan
신소재 웨이퍼 공정을 위한 전용 공장 신규 오픈
2017년 1월~
～신소재: SiC，사파이어，LT 등 ～
● 양산화 처리 능력 증가 ● 실리콘 웨이퍼 공정과 분리, 웨이퍼 수입부터 출하까지 원스톱 처리 ● 공정 단축으로 비용 절감 ● 2017년 3월부터 양산화 개시
■ 화합물 웨이퍼 전용 신공장 3층 세정/출하 검사 2층 연마실 1층 연삭실 ■ 신공장의 강점 고강성 그라인더 사용으로 편평도, 표면조도, 가공변질층의 고품질화 달성
⇒공정 비용 삭감 백 그라인딩 후의 뒤틀림 감소
⇒연삭+연마의 원스톱 공정 가능 사파이어 전용 세정 장비의 도입으로 고품질 세정
(오염+파티클 감소) 실리콘 웨이퍼 부문에서 양산 실적이 있는 나이프 에지 방지 가공을 사파이어 웨이퍼 박막화에도 적용 기대 ■ 패턴 SiC 웨이퍼의 씨닝 가공 패턴 SiC 웨이퍼 가공의 예
연삭 웨이퍼의 두께 변화(SiC 6인치 웨이퍼) ：um ※TV5：1um≧ 연삭 후 연삭 후의 조도 비교(SiC 6인치 웨이퍼) 고강성 그라인더 사용으로 두께 변화/표면조도 향상. ※기존 그라인더로 표면조도 향상.
당사는 독자 개발한 기술을 통해 원스 톱 사파이어 웨이퍼 가공(웨이퍼 연삭, 연마, RCA 세정)을 제공하고 있는 기업 중 하나입니다.
기존 반도체 툴과 장비를 활용해 사파이어 웨이퍼 가공 기술을 개발하는데 성공한 당사의 공정은 사파이어 부문에 사용되고 있는 기존 장비에 비해 처리량, 조도, 웨이퍼 사이즈의 유연성에서 뛰어난 실적을 올리고 있습니다.
● 전반사 형광 X선 표면분석장치 TREX610
측정 가능한 금속: 12 원소（S, Cl, K, Ca, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn) ● Candela CS20 웨이퍼 표면 검사기
웨이퍼 크기：3, 4, 5, 6인치
두께：300–1400 μm
■ 자동 스크럽 세정 장치
■ 새 장치：
연마 후 잔류물이 알칼리성인 경우에는 흠집이나 파티클 발생의 원인이 됩니다. 자연산화막으로 코팅하기 전에 이러한 잔류물을 제거하는 것이 연마 기술의 핵심입니다.
당사의 기존 공정에서는 오퍼레이터가 수동으로 스크러빙을 실시해 웨이퍼를 한장씩 세정합니다. 현재는 인적 오류와 품질의 편차를 줄이기 위해 자동화된 세정 장비를 도입하는 등 품질 안정에 성공했습니다.
■웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치
■두께：～ 100μm
■패턴 웨이퍼, MEMS 웨이퍼 등 SOI 웨이퍼
글라스 서포트 웨이퍼 등에도 대응 가능 。 ● 자동 스크럽 세정 장치
고도의 세정 품질 ● 자동 스크럽 세정 장치
웨이퍼 크기：4, 5, 6, 8인치 대응
석영, SiC 웨이퍼에도 효과적. ■ 사파이어 웨이퍼 처리 기존 공정 롯코 공정 다이아몬드 랩핑 연마, CMP(배치) 연삭 연마, CMP 운영 비용 높음
(메탈 휠+다이아몬드) 중간
(패드+슬러리) 중간
(다이아몬드 휠) 중간
(패드+슬러리) 요구되는 수준의 가공 기 높음 중간 높음 높음 설비 비용 높음 중간 높음 높음 가공속도 매우 낮음 낮음 중간 중간 비고 “왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요” “왁스 마운팅
랩핑 테이블 조정의 어려움,
높은 가공수 필요” “진공 처킹 시스템
자동 사파이어 연삭기” 왁스리스 폴리싱 ■ 사파이어 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과 150mm사파이어 웨이퍼 세정 후 파티클 측정 결과 세정 전 스크럽 세정 RCA 세정 1.스크럽 세정은 큰 사이즈의 파티클 제거에 효과적.
2.RCA 세정 후 파티클과 오염 제거.
3.10pieces≧0.3um ■ 사파이어 웨이퍼 세정 후 금속 오염 150mm사파이어 웨이퍼 세정 후 금속 오염
TXRF 측정장치 TXRF 측정장치 사파이어 웨이퍼 세정 후 TRFX 측정 결과
＜5Ｘ1010atoms/ｃｍ2
AMC > Chemical > 제품설명 > 사파이어 웨이퍼 연마제
사파이어 웨이퍼 연마제 Sapphire Polishing Slurry 사파이어는 알루미나(Al2O3)가 2050℃ 이상에서 단결정으로 성장된 결정체로 빛의 투과성이 가장 뛰어난 광학 특성, 세라믹 소재 중에서 금속과 비슷한 우수한 열전도, 저온 및 고온 안정성, 다이아몬드 다음으로 경도(Mohs 9)가 높은 우수한 기계적 성질로 반도체 회로기판, 반도체 장비 부품, 광학 및 레이저 부품 등에 적용하고 있으며, 특히 TV 및 조명용 LED(발광다이오드) 기판용 핵심 소재인 사파이어 웨이퍼는 수요량 급증으로 경쟁적으로 발달하고 있는 고성장 분야로 향후 가전수요 회복으로 LED TV 시장의 본격화와 일반 조명시장의 성장에 따른 수요가 증가할 것으로 전망된다. 제품명: ecosil®4080, ecosil®100S, ecosil®100A, ecosil®200L ecosil® slurries 사파이어, LiTaO3/LiNbO3, Ceramic, 각종 금속종류의 Polishing에 적용되는 제품으로 고순도 Colloidal Silica 입니다. 이전 공정의 가공에서 생긴 연마재 자국 및 작은 Scratch를 감소 시켜 표면의 조도를 극대화 시키는데 탁월한 제품입니다 물리적 특성 항목 규격 시험방법 ecosil®4080 ecosil®100S ecosil®100A ecosil®200L 외관 White White White White 육안검사 유효성분 (%) 40.0 ± 1.0 37.0 ± 0.5 44.0 ± 0.5 49.0 ± 1.0 For 3hr at 100℃ 점도 (cps at 20℃) < 5 < 5 < 5 < 5 주)1 비중 (at 20℃) 1.29-1.30 1.26-1.28 1.33-1.35 1.37-1.39 Hydrometer Fisher Scientific pH (at 20℃) 10.0 ± 0.5 9.8 ± 0.5 9.5 ± 0.5 9.2 ± 0.5 pH meter shelf 1 year 1 year 1 year 1 year 주)1: Brookfiled Viscometer (DV-Ⅱ+Pro, Spindle No. 2, 20rpm)
한솔테크닉스 > 제품정보 > LED
“Sapphire” crystal은 보석입니다. 합성보석으로 천연사파이어와 같은 성분, 결정 구조를 가지고 있습니다.
“Sapphire” crystal은 투명한 소재로 Diamond 다음으로 경도가 높습니다. 스크래치에 대한 내성이 아주 강합니다. (Mohs 경도9)
“Sapphire” 은 유전율이 높아 TSP의 SNR (Signal to Noise Ratio)를 개선 시킵니다. Touch시 Error 발생률이 낮고 민감하게 반응합니다.
“Sapphire” crystal은 항상 맑은 표면으로 미려함과 화려함을 유지합니다. 뛰어난 광학특성을 가지고 있습니다.
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